Análisis comparativo de MSI con MMSI

Neuman Sandoval, Sebastian Elías

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Análisis comparativo de MSI con MMSI

dc.contributor.advisor	Espinosa N., Eduardo E.
dc.contributor.advisor	Lizana F., Ricardo A.
dc.contributor.advisor	Ramírez A., Guillermo E.
dc.contributor.author	Neuman Sandoval, Sebastian Elías
dc.date.accessioned	2026-08-14T19:59:49Z
dc.date.available	2026-08-14T19:59:49Z
dc.date.issued	2025
dc.description	Informe de habilitación profesional para optar al grado académico de LICENCIADO EN CIENCIAS DE LA INGENIERÍA y al título de INGENIERO CIVIL ELÉCTRICO.
dc.description.abstract	La presente investigación desarrolla un análisis comparativo entre el inversor multifluente y el inversor multinivel multifuente, con el fin de evaluar su desempeño en aplicaciones de electromovilidad. El MSI, al permitir la conexión de múltiples fuentes de corriente continua a una única salida de corriente alterna mediante una sola etapa de conversión, ha mostrado ventajas en flexibilidad y eficiencia; sin embargo, sus configuraciones tradicionales suelen limitarse a dos o tres niveles de tensión de salida. En contraste, el MMSI se presenta como una alternativa capaz de generar múltiples niveles de tensión, mejorando la calidad de onda y reduciendo la distorsión armónica total. El trabajo incluye una revisión del estado del arte sobre inversores multifuente y multinivel, junto con sus principales estrategias de modulación y control. Posteriormente, se desarrolla la caracterización matemática de las señales de salida, considerando formas de onda cuadradas modificadas y escalonadas de siete niveles. Asimismo, se analizan las pérdidas por conducción y conmutación en dispositivos de potencia de silicio (IGBT) y de carburo de silicio (SiC-MOSFET), con el fin de determinar la eficiencia bajo condiciones equivalentes de operación. Los resultados obtenidos mediante simulaciones en PSIM® y cálculos en MATLAB® muestran que el inversor MMSI logra un THD en el voltaje de salida cercano al 9.5-11 %, frente a valores superiores al 50 % en el MSI tradicional, confirmando una mejora significativa en la calidad de la forma de onda. En términos de eficiencia, el MMSI presenta valores ligeramente menores que el MSI: 98.94% con IGBT y 99.16% con SiC-MOSFET, frente a 99.21% y 99.23% del MSI, respectivamente. Esto evidencia un compromiso entre calidad de onda y pérdidas de conducción. En conclusión, los resultados permiten establecer que la elección entre MSI y MMSI depende directamente de las prioridades de la aplicación. El MSI resulta más adecuado en escenarios donde la simplicidad, la eficiencia y el balance de potencia son determinantes, mientras que el MMSI constituye una alternativa atractiva en aplicaciones que priorizan la reducción del THD y una mejor calidad de onda, aun a costa de una mayor complejidad y dependencia de la fuente primaria.
dc.identifier.uri	https://tesis.ucsc.cl/handle/25022009/4575
dc.language.iso	es
dc.publisher	Universidad Católica de la Santísima Concepción
dc.subject	Inversor multifuente
dc.subject	Inversor multinivel multifuente
dc.subject	MSI
dc.subject	MMSI
dc.subject	Electromovilidad
dc.subject	Calidad de onda
dc.subject	THD
dc.subject	Eficiencia energética
dc.subject	Pérdidas de conducción
dc.subject	Pérdidas de conmutación
dc.subject	Si IGBT
dc.subject	SiC MOSFET
dc.subject	Facultad de Ingeniería
dc.subject	Ingeniería Civil Eléctrica
dc.title	Análisis comparativo de MSI con MMSI
dc.type	Thesis
dspace.entity.type	Publication