Vergara R., Samuel A.Cariñe C., Jaime A.León C., Ricardo I.Albarrán Concha, Diego Alonso2026-07-282026-07-282025https://tesis.ucsc.cl/handle/25022009/4563Informe de Habilitación Profesional para optar al grado académico de Licenciado en Ciencias de la Ingeniería y al título de Ingeniero Civil EléctricoLa Tomografía de Impedancia Eléctrica (TIE) es una técnica de imagen no invasiva que permite estimar la distribución de conductividad de un dominio a partir de mediciones de voltaje en su frontera. En este contexto, el presente proyecto evaluó un toolbox desarrollado en MATLAB basado en el Método de Elementos de Contorno (BEM) para el problema directo de TIE, contrastándolo con EIDORS, que utiliza el Método de Elementos Finitos (FEM). Se trabajó bajo el criterio de que un toolbox para BEM bien implementado entregaría resultados comparables a FEM en EIDORS con manteniendo tiempos de simulación similares. Se diseñó una comparación controlada manteniendo fija una geometría circular de radio unitario, representativa de una sección transversal típica en TIE. con 16 electrodos distribuidos uniformemente, el mismo patrón de inyección y las mismas condiciones de contorno. Se estudiaron dos escenarios, uno con medio homogéneo y otro con una inclusión cercana al borde. En ambos se barrió la conductividad del medio entre 0.01 y 2.0 S/m, la impedancia de contacto entre 0.01 y 10 Ω y la corriente inyectada entre 0.005 y 0.03 A. Además, se analizó el efecto de la discretización superficial mediante la variación del número de elementos entre electrodos y los segmentos por electrodo. En el caso con inclusión se variaron también su conductividad y el número de segmentos de la inclusión. Para cada condición se obtuvieron los voltajes en electrodos y se calculó el error absoluto y relativo de la norma de voltaje entre BEM y FEM, junto con el tiempo de simulación. Los resultados mostraron que BEM-EIT reprodujo de manera consistente las tendencias físicas esperadas y alcanzó concordancia cercana a EIDORS en FEM. En medio homogéneo, aumentar la conductividad redujo los errores, subir la impedancia de contacto disminuyó el error relativo e incrementar la corriente multiplicó el error absoluto sin alterar el relativo, lo que es coherente con la linealidad del modelo. La discretización fue determinante para los distintos resultados, ya que el error se redujo hasta alcanzar una saturación a partir de 6 segmentos por electrodo. En rendimiento, los tiempos dependieron sobre todo del tamaño y la estructura de los sistemas lineales. En homogéneo, FEM y BEM operaron en el mismo orden de milisegundos. Con inclusión, el tiempo de BEM-EIT creció por el contorno interno adicional, mientras FEM de EIDORS permaneció prácticamente constante. En conjunto, el toolbox de BEM demostró ser una alternativa válida a FEM en EIDORS para el problema directo de TIE.esTomografía de impedancia eléctricaMétodo de elementos de contornoMétodo de elementos finitosToolboxEIDORSBEM-EITThesis