Espinosa N., Eduardo E.Lizana F., Ricardo A.Ramírez A., Guillermo E.Neuman Sandoval, Sebastian Elías2026-08-142026-08-142025https://tesis.ucsc.cl/handle/25022009/4575Informe de habilitación profesional para optar al grado académico de LICENCIADO EN CIENCIAS DE LA INGENIERÍA y al título de INGENIERO CIVIL ELÉCTRICO.La presente investigación desarrolla un análisis comparativo entre el inversor multifluente y el inversor multinivel multifuente, con el fin de evaluar su desempeño en aplicaciones de electromovilidad. El MSI, al permitir la conexión de múltiples fuentes de corriente continua a una única salida de corriente alterna mediante una sola etapa de conversión, ha mostrado ventajas en flexibilidad y eficiencia; sin embargo, sus configuraciones tradicionales suelen limitarse a dos o tres niveles de tensión de salida. En contraste, el MMSI se presenta como una alternativa capaz de generar múltiples niveles de tensión, mejorando la calidad de onda y reduciendo la distorsión armónica total. El trabajo incluye una revisión del estado del arte sobre inversores multifuente y multinivel, junto con sus principales estrategias de modulación y control. Posteriormente, se desarrolla la caracterización matemática de las señales de salida, considerando formas de onda cuadradas modificadas y escalonadas de siete niveles. Asimismo, se analizan las pérdidas por conducción y conmutación en dispositivos de potencia de silicio (IGBT) y de carburo de silicio (SiC-MOSFET), con el fin de determinar la eficiencia bajo condiciones equivalentes de operación. Los resultados obtenidos mediante simulaciones en PSIM® y cálculos en MATLAB® muestran que el inversor MMSI logra un THD en el voltaje de salida cercano al 9.5-11 %, frente a valores superiores al 50 % en el MSI tradicional, confirmando una mejora significativa en la calidad de la forma de onda. En términos de eficiencia, el MMSI presenta valores ligeramente menores que el MSI: 98.94% con IGBT y 99.16% con SiC-MOSFET, frente a 99.21% y 99.23% del MSI, respectivamente. Esto evidencia un compromiso entre calidad de onda y pérdidas de conducción. En conclusión, los resultados permiten establecer que la elección entre MSI y MMSI depende directamente de las prioridades de la aplicación. El MSI resulta más adecuado en escenarios donde la simplicidad, la eficiencia y el balance de potencia son determinantes, mientras que el MMSI constituye una alternativa atractiva en aplicaciones que priorizan la reducción del THD y una mejor calidad de onda, aun a costa de una mayor complejidad y dependencia de la fuente primaria.esInversor multifuenteInversor multinivel multifuenteMSIMMSIElectromovilidadCalidad de ondaTHDEficiencia energéticaPérdidas de conducciónPérdidas de conmutaciónSi IGBTSiC MOSFETFacultad de IngenieríaIngeniería Civil EléctricaThesis